分子線エピタキシーによるCaAgAsの薄膜成長

Thin film growth of CaAgAs by molecular beam epitaxy.

• Takafumi Hatano
• Ibuki Nakamura
• Shunsuke Ohta
• Yuta Tomizawa
• Takahiro Urata
• Kazumasa Iida
• Hiroshi Ikuta

抄録

トポロジカル絶縁体として理論的に提案されていたCaAgAsの薄膜を分子線エピタキシー法により成長させた。4 K における抵抗率とキャリア濃度の温度依存性は、バルク試料で報告されている結果と同様であった。しかし、磁気抵抗は低磁場下で急上昇し、バルク試料では観測されなかった挙動を示した。この急峻な抵抗率の上昇は、弱いアンチローカライゼーション効果に起因するものであり、CaAgAsのトポロジカルな表面状態の性質を解明する手がかりとなる。

We have grown thin films of CaAgAs by molecular beam epitaxy, which was theoretically proposed to be a topological insulator. The temperature dependence of resistivity and the carrier concentration at 4 K were similar to the reported results of bulk samples. However, the magnetoresistance exhibited a steep increase at low magnetic fields, a behavior not observed for bulk samples. This steep increase of resistivity is ascribable to the weak antilocalization effect and provides clues to the nature of the topological surface state of CaAgAs.

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